據(jù)中國政府網(wǎng)報道，12月8日至10日在北京召開的中央經(jīng)濟(jì)工作會議再次強調(diào)支持“綠色發(fā)展”。隨著“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)的不斷推進(jìn)，新能源汽車、光伏等“黃金軌道”上的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)“出圈”。

　　目前，第三代半導(dǎo)體主要有三個應(yīng)用領(lǐng)域——光電子、射頻電子和電力電子。在這些方面，它有很好的表現(xiàn)。第三代半導(dǎo)體是指以碳化硅和氮化鎵為代表的寬帶隙半導(dǎo)體材料。碳化硅可用于更高電壓環(huán)境，如車輛、5g基站、電網(wǎng)等。氮化鎵更多地用于高頻環(huán)境，如數(shù)據(jù)中心。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體可以提高產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換效率，降低損耗，促進(jìn)終端電源的節(jié)能，提高電子設(shè)備的效率。這是實現(xiàn)碳中和的方法之一。

　　雖然中國三代人的半工業(yè)投資正如火如荼，但短期產(chǎn)能過剩值得警惕。盡管市場快速增長，但第三代半導(dǎo)體替代傳統(tǒng)半導(dǎo)體的能力有限。在某些細(xì)分市場，第三代只能取代硅或與硅共存。目前，硅電力電子產(chǎn)品非常成熟且價格低廉，可能是未來市場份額大的半導(dǎo)體產(chǎn)品。未來，第三代半導(dǎo)體市場將繼續(xù)增長，但市場份額到底有多大還不得而知。

　　由于國家“十四五”計劃電動汽車數(shù)量預(yù)計將達(dá)到700萬輛，因此仍有很大的增長空間。因此，在需求釋放后，第三代半導(dǎo)體的容量不會過剩。北京國際科技創(chuàng)新中心“十四五”建設(shè)規(guī)劃指出，支持關(guān)鍵新材料的“瓶頸”技術(shù)研究，在硅基光電子、第三代半導(dǎo)體器件等關(guān)鍵領(lǐng)域搭建共性技術(shù)平臺，加快技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程。圍繞碳化硅、氮化鎵等優(yōu)質(zhì)材料、器件和核心設(shè)備，打造第三代半導(dǎo)體高端產(chǎn)業(yè)鏈。

　　半導(dǎo)體行業(yè)在生產(chǎn)的時候需要大量的清洗水，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展，對清洗水的電導(dǎo)性、離子含量、TOC、DO、Particles要求也越來越嚴(yán)格。在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，硼是P型雜質(zhì)，過量會使n型硅反型，對電子、空穴濃度有影響。因此在超純水行業(yè)中，要充分考慮硼的脫除。為打造第三代半導(dǎo)體高端產(chǎn)業(yè)鏈提供高品質(zhì)超純水。